19148 (2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钇 99% 5g 2356
19150 (2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钇 99% 1g 570
熔点：172-175 °C
纯度Purity ≥99.0% (GC) 熔点Melting point 172°C - 175°C
联合国编号 Risk： R20/21/22- R36/37/38- Safety : S26- S37/39- Hazard : Xn -
一种前体，采用催化增强化学气相沉积(CECVO)法构成氧化钇薄膜，这种薄膜有巨大的应用前景，如用于电子绝缘体、覆膜、反应屏障和超导材料等。